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�。�6）應(yīng)力侵蝕，在裂隙末端經(jīng)受應(yīng)變的硅-氧鍵被賦以優(yōu)選位置，這樣有利于化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行。硅-氧的水解作用通過減弱氫鍵合的羥基團(tuán)置換強(qiáng)原子鍵而引起裂隙擴(kuò)展。這種機(jī)制引起破壞所處的條件其范圍可能很寬。例如，由晶質(zhì)塑性或擴(kuò)散作用引起的空隙生長可能容許流體滲入，從而導(dǎo)致應(yīng)力侵蝕，或者由于位錯蠕變引起的內(nèi)部應(yīng)變能的增大，從而可能增大裂隙末端的反應(yīng)和侵蝕速率。
以上兩種機(jī)制可歸為第二類，這類機(jī)制在流體參與下進(jìn)行。圖中箭頭指示當(dāng)流體化學(xué)性質(zhì)變得具更多侵蝕組分或應(yīng)力強(qiáng)度因子增大期間破裂線位置運(yùn)動方向。
彈性應(yīng)變能積累是導(dǎo)致快速破裂擴(kuò)展的主要機(jī)制，而在突發(fā)破裂所需臨界應(yīng)力水平以下，在以低速擴(kuò)展的亞臨界裂隙生長中，上述所有其它機(jī)制都起著作用。亞臨界裂隙生長是緩慢的裂隙生長過程，常常是由快速裂隙生長引起大破裂的前兆。
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