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�。�6）應力侵蝕，在裂隙末端經(jīng)受應變的硅-氧鍵被賦以優(yōu)選位置，這樣有利于化學反應進行。硅-氧的水解作用通過減弱氫鍵合的羥基團置換強原子鍵而引起裂隙擴展。這種機制引起破壞所處的條件其范圍可能很寬。例如，由晶質(zhì)塑性或擴散作用引起的空隙生長可能容許流體滲入，從而導致應力侵蝕，或者由于位錯蠕變引起的內(nèi)部應變能的增大，從而可能增大裂隙末端的反應和侵蝕速率。
以上兩種機制可歸為第二類，這類機制在流體參與下進行。圖中箭頭指示當流體化學性質(zhì)變得具更多侵蝕組分或應力強度因子增大期間破裂線位置運動方向。
彈性應變能積累是導致快速破裂擴展的主要機制，而在突發(fā)破裂所需臨界應力水平以下，在以低速擴展的亞臨界裂隙生長中，上述所有其它機制都起著作用。亞臨界裂隙生長是緩慢的裂隙生長過程，常常是由快速裂隙生長引起大破裂的前兆。
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